BSC040N10NS5ATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC040N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و IPB017N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC040N10NS5ATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
العلبة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Linear FET
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
العلبة / الحالة — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
مستوى MSL — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر