BSC040N10NS5ATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC040N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve IPB017N10N5LFATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC040N10NS5ATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Linear FET
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Paket / Kas — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin