BSC042NE7NS3GATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC042NE7NS3GATMA1 بواسطة Infineon و IAUZ40N06S5L050ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC042NE7NS3GATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 5 (super-junction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C]
Drain Current at T<sub>j</sub> — 90 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V — 5 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A — 6.4 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 2.2 V at 29 µA
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> — 28.2 nC
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 71 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر