BSC042NE7NS3GATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N06S5L050ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC042NE7NS3GATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 5 (super-junction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C]
Drain Current at T<sub>j</sub> — 90 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V — 5 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A — 6.4 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 2.2 V at 29 µA
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> — 28.2 nC
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin