BSC0501NSIATMA1 vs IPC90N04S5L3R3ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0501NSIATMA1 بواسطة Infineon و IPC90N04S5L3R3ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0501NSIATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V OptiMOS 5 40V
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C -55°C to +175°C
العلبة PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.3 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.7 V to 2.7 V (logic level)
Total Power Dissipation (TC=25°C) — 62 W
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Peak Reflow Temperature — 260°C
Qualification — AEC-Q101 automotive qualified
Avalanche Tested — 100% (production-level)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر