BSC059N04LSGATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC059N04LSGATMA1 بواسطة Infineon و IAUZ40N06S5L050ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC059N04LSGATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (super-junction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C]
Drain Current at T<sub>j</sub> — 90 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V — 5 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A — 6.4 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 2.2 V at 29 µA
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> — 28.2 nC
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 71 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر