BSC066N06NSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC066N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC034N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC066N06NSATMA1 | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +150°C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS 5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |