BSC066N06NSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC066N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC034N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC066N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
دمای اتصال کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS 5
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
محدوده دمای کاری — -55C to +150C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت