BSC066N06NSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC066N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC034N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC066N06NSATMA1 | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +150°C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS 5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |