BSC066N06NSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC066N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC034N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC066N06NSATMA1 | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55°C to +150°C | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS 5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C |