BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC093N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC077N12NS3GATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Technology — OptiMOS 5 150V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
خالٍ من الهالوجين — [DATA_NEEDED: halogen free status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر