BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC077N12NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC093N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC077N12NS3GATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Technology — OptiMOS 5 150V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
ہیلوجن فری — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں