BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC093N15NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC077N12NS3GATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Technology — OptiMOS 5 150V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
נטול הלוגנים — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר