BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R385CPATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC077N12NS3GATMA1 IPD60R385CPATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 27 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C -55 °C to +150 °C
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
العلبة / الحالة — PG-TO252-3 (DPAK)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر