BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC077N12NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R385CPATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC077N12NS3GATMA1 IPD60R385CPATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 27 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin