BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon ו IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC077N12NS3GATMA1 IPD60R385CPATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 27 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C -55 °C to +150 °C
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
מארז / Case — PG-TO252-3 (DPAK)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר