BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC060P03NS3EGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC084P03NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC060P03NS3EGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC084P03NS3GATMA1 | BSC060P03NS3EGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 14.9 A | 17.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 78.6 A | 100 A |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | 6.1 mOhm | — |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | -1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 58 nC @ VGS = -10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.19 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 110 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.52 nF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 83 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| العلبة | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS P3 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | -2.5 V |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | — | 81 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.02 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 2.81 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 220 pF |
| Technology | — | OptiMOS™ P-channel Trench |