BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC060P03NS3EGATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC084P03NS3GATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC060P03NS3EGATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC084P03NS3GATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A 100 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 83 W
Gambaran Suhu Operasi -55C to +150C -55°C to +150°C
Kemasan PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
Status RoHS Compliant Compliant
Aras MSL 1 (unlimited) —
Polarity — P-Channel
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Technology — OptiMOS™ P-channel Trench

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga