BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC060P03NS3EGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC084P03NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC060P03NS3EGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC084P03NS3GATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A 100 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 83 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55°C to +150°C
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
Polarity — P-Channel
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Technology — OptiMOS™ P-channel Trench

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin