BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC084P03NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC084P03NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 69 W
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55C to +150C
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
RoHS Compliance — Compliant
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر