BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC084P03NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSC084P03NS3GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC084P03NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 69 W
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55C to +150C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
RoHS Compliance — Compliant
بدون هالوژن — Yes (per Infineon product page)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت