BSC100N10NSFGATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC100N10NSFGATMA1 بواسطة Infineon و BSZ150N10LS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC100N10NSFGATMA1 | BSZ150N10LS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSZ150N10LS3GATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 3 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15 mΩ |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | — | 2.1 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 63 W |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |
| Gate Threshold VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Lead-Free / Reflow | — | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |