BSC100N10NSFGATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC100N10NSFGATMA1 tarafından Infineon ve BSZ150N10LS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC100N10NSFGATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin