BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC12DN20NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC011N03LSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC011N03LSTATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | Trench MOSFET |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel | Single with built-in diode |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 39 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 72 nC |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 115 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |