BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC12DN20NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC011N03LSTATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC12DN20NS3GATMA1 BSC011N03LSTATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 200V —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
מארז PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET Trench MOSFET
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Configuration Single N-channel Single with built-in diode
מספר פינים 8 —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 39 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 72 nC
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 115 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר