BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC12DN20NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC011N03LSTATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC12DN20NS3GATMA1 BSC011N03LSTATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 200V —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET Trench MOSFET
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Configuration Single N-channel Single with built-in diode
تعداد پایه 8 —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 39 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 72 nC
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 115 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت