BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC12DN20NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC011N03LSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC011N03LSTATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | Trench MOSFET |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel | Single with built-in diode |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 39 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 72 nC |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 115 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |