BSC150N03LDGATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC150N03LDGATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC150N03LDGATMA1 BSC027N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (half-bridge) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=70C [DATA_NEEDED: Id at TA=70C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.5 V —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg nC] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: typical Qgd nC] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: typical Qoss nC] —
Power Dissipation (Pd) 26 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-4 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 1
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes Yes
Product Family — OptiMOS 3
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 83 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر