BSC150N03LDGATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC150N03LDGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC150N03LDGATMA1 BSC027N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (half-bridge) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=70C [DATA_NEEDED: Id at TA=70C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.5 V —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg nC] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: typical Qgd nC] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: typical Qoss nC] —
Power Dissipation (Pd) 26 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8-4 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes Yes
Product Family — OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 83 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں