BSC150N03LDGATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC150N03LDGATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC150N03LDGATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (half-bridge) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=70C [DATA_NEEDED: Id at TA=70C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.5 V —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg nC] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: typical Qgd nC] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: typical Qoss nC] —
Power Dissipation (Pd) 26 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-4 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes Yes
Product Family — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 83 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin