BSC150N03LDGATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC150N03LDGATMA1 توسط Infineon و BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC150N03LDGATMA1 BSC027N04LSGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (half-bridge) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=70C [DATA_NEEDED: Id at TA=70C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.5 V —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg nC] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: typical Qgd nC] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: typical Qoss nC] —
Power Dissipation (Pd) 26 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-4 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes Yes
Product Family — OptiMOS 3
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
اتلاف توان (TC=25°C) — 83 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت