BSC150N03LDGATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC150N03LDGATMA1 מאת Infineon ו BSC027N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC150N03LDGATMA1 BSC027N04LSGATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (half-bridge) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=70C [DATA_NEEDED: Id at TA=70C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.5 V —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg nC] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: typical Qgd nC] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: typical Qoss nC] —
Power Dissipation (Pd) 26 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8-4 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 1
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes Yes
Product Family — OptiMOS 3
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
פיזור הספק (TC=25°C) — 83 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר