BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC520N15NS3G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC360N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC520N15NS3G بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3 G
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (junction) —
Avalanche Energy Rated Yes —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
عدد الأطراف — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر