BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC520N15NS3G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC360N15NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC520N15NS3G מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC520N15NS3G BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3 G
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (junction) —
Avalanche Energy Rated Yes —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
מספר פינים — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר