BSC520N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC520N15NS3G بواسطة Infineon و BSC190N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC520N15NS3G BSC190N15NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC520N15NS3 G —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.5 V to 3.5 V
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر