BSC520N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC520N15NS3G توسط Infineon و BSC190N15NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC520N15NS3G BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC520N15NS3G BSC190N15NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC520N15NS3 G —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.5 V to 3.5 V
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
محدوده دمای کاری — -55 C to +150 C
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت