BSD235CH6327XTSA1 vs BTS6133DAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSD235CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BTS6133DAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSD235CH6327XTSA1 BTS6133DAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (junction) -40C to +150C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
حالة RoHS Compliant (lead-free) Compliant
مستوى MSL 1 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK)
عدد الأطراف 6 5
Part Number — BTS6133DAUMA1
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Switch Configuration — 1:1 (single high-side)
عدد المخارج — 1
Peak Drain Current — 41 A
Continuous Load Current — 8 A
Operating Voltage Range — [DATA_NEEDED: VBB operating range]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C]
العلبة — PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Protection Features — Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation
Diagnostic Feedback — Yes (status / fault pin)
AEC-Q100 Qualified — AEC-Q100 qualified (automotive grade)
Datasheet Document Size — 257 Kbytes (15 pages)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر