BSD235CH6327XTSA1 vs BTS6133DAUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSD235CH6327XTSA1 מאת Infineon ו BTS6133DAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSD235CH6327XTSA1 BTS6133DAUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (junction) -40C to +150C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
סטטוס RoHS Compliant (lead-free) Compliant
רמת MSL 1 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK)
מספר פינים 6 5
Part Number — BTS6133DAUMA1
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Switch Configuration — 1:1 (single high-side)
מספר יציאות — 1
Peak Drain Current — 41 A
Continuous Load Current — 8 A
Operating Voltage Range — [DATA_NEEDED: VBB operating range]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C]
מארז — PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Protection Features — Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation
Diagnostic Feedback — Yes (status / fault pin)
AEC-Q100 Qualified — AEC-Q100 qualified (automotive grade)
Datasheet Document Size — 257 Kbytes (15 pages)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר