BSL606SNH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL606SNH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSL207SPH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSL606SNH6327XTSA1 | BSL207SPH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Technology | OptiMOS3 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 4.5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | 5.6 nC (max) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (Tj) | — |
| العلبة | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) | TSOP-6 (PG-TSOP6-6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain to Source Voltage (VDS) | — | -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | — | 6 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 2 W (Ta) |
| RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] |
| RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| Series | — | OptiMOS™ |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| عدد الأطراف | — | 6 |