BSP125H6327XTSA1 vs BSP89H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP125H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP89H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP125H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP125H6327XTSA1 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, enhancement mode
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) SIPMOS (planar power MOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (Unlimited) —
Qualification Automotive / Industrial grade —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 240 V (VGS=0, ID=250 µA)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 0.35 A
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C — 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C (Tj)
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) — 70 K/W (6 cm² PCB)
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) — 25 K/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (logic-level compatible)
dv/dt Rated — Yes
ESD Protection — Internal gate-source Zener
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per ordering code H6327)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر