BSP125H6327XTSA1 vs BSP89H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP125H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP89H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP125H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP125H6327XTSA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, enhancement mode
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) SIPMOS (planar power MOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) —
Qualification Automotive / Industrial grade —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 240 V (VGS=0, ID=250 µA)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 0.35 A
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C — 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (Tj)
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) — 70 K/W (6 cm² PCB)
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) — 25 K/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (logic-level compatible)
dv/dt Rated — Yes
ESD Protection — Internal gate-source Zener
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per ordering code H6327)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin