BSP296NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP296NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS214NWH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 1.2 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 600 mOhm —
العلبة PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Standard Packaging Tape & Reel, 1000 pcs/reel —
Technology Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر