BSP88H6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSD235CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP88H6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-3) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single N+P complementary dual MOSFET
درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) OptiMOS™ low-voltage
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
حالة RoHS — Compliant (lead-free)
عدد الأطراف — 6

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر