BSP88H6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSP88H6327XTSA1 توسط Infineon و BSD235CH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSP88H6327XTSA1 | BSD235CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | — |
| Configuration | Single | N+P complementary dual MOSFET |
| دمای کاری | -55 C to +150 C | — |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | OptiMOS™ low-voltage |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS™ |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 950 mA |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 530 mA (negative polarity) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| Package Type | — | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) |
| محدوده دمای کاری | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Polarity | — | N-channel + P-channel |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (lead-free) |
| تعداد پایه | — | 6 |