BSP88H6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP88H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSD235CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP88H6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single N+P complementary dual MOSFET
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) OptiMOS™ low-voltage
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
RoHS Durumu — Compliant (lead-free)
Pin Sayısı — 6

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin