BSP92PH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP92PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP92PH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
نوع الترانزستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V —
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
عدد الأطراف 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Configuration — Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر