BSR316PH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSR316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP92PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSR316PH6327XTSA1 | BSP92PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR316PH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | P-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | -360 mA | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1800 mOhm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.7 V typical, -2.5 V max | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 500 mW | — |
| العلبة | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Qualification | Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Polarity | P-Channel | — |
| Product Family | — | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET |
| نوع الترانزستور | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Channel Polarity | — | P-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| عدد الأطراف | — | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) |