BSR316PH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSR316PH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP92PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSR316PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type P-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
بسته‌بندی PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction) —
Qualification Automotive —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL 1 1 (unlimited)
Polarity P-Channel —
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
نوع ترانزیستور — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
دمای کاری — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
تعداد پایه — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت