BSR802NL6327HTSA1 vs BSS205NH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSR802NL6327HTSA1 بواسطة Infineon و BSS205NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSR802NL6327HTSA1 | BSS205NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR802NL6327HTSA1 | BSS205NH6327XTSA1 |
| Technology | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 3.7 A (Ta=25C) | — |
| Power Dissipation (PD) max | 500 mW (Ta=25C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | 23 mOhm @ VGS=4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| العلبة | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) | PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| Qualification | Automotive | AEC-Q101 |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> | — | 20 V |
| Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) | — | 2.5 A |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) | — | 500 mW |
| R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) | — | 85 mΩ |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Drive Voltage | — | Logic-level compatible |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327) |