BSR802NL6327HTSA1 vs BSS205NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSR802NL6327HTSA1 tarafından Infineon ve BSS205NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSR802NL6327HTSA1 BSS205NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR802NL6327HTSA1 BSS205NH6327XTSA1
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Qualification Automotive AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant —
Pin Sayısı 3 —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> — 20 V
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) — 2.5 A
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) — 500 mW
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) — 85 mΩ
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (junction)
Gate Drive Voltage — Logic-level compatible
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging — Tape & Reel (H6327)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin